Intel werkt aan vervanger flash en dram
Gepubliceerd: Woensdag 14 juni 2006
Auteur: Niels de Rijk
Intel en ST Microelectronics werken samen aan een nieuw type geheugen dat in de loop der tijd flash en dram moet gaan vervangen.
De chipfabrikanten presenteren deze maand een document over phase change memory (ook wel eens pram of ovonic unified memory genoemd). Daarin zetten ze uiteen hoe ze met een zo klein mogelijk celoppervlak, opslag op hittegevoelig chalcogenide-glas en een bipolaire transistor de oude geheugentypen denken te kunnen overtreffen.
Pcm is een nieuw type geheugen dat in tegenstelling tot dram gegevens kan vasthouden als er geen stroom op staat. Geheugenfabrikanten zijn bijzonder geïnteresseerd in het nieuwe type, omdat ze middels een nauwkeuriger productieproces chips met een hogere capaciteit kunnen produceren.
ST zegt reeds een 128 Mbit prototype van het nieuwe type hebben ontwikkeld middels het 90 nanometer-procédé. Een multigigabit versie geproduceerd middels het 45- of 32 nanometer-procédé volgt spoedig, aldus de fabrikant.
Bron: Techworld
