De chip is hiermee volgens de bedrijven de snelste chip op basis van silicum. IBM en het Georgia Institute of Technology hebben de chip op recordsnelheid draaien door het circuit te bevriezen tot 268 graden Celsius onder nul.

De bedrijven zeggen dat de chip zo'n 250 keer sneller is dan de huidige chips in mobiele telefoons, die op 2 GHz draaien.

De ultrasnelle chip is ontwikkeld als onderdeel van een project om de snelheidsgrenzen van sige-apparaten (silicoon-germanium) te verkennen, die naar verluidt sneller werken bij lage temperaturen.

De Sige-circuits met ultrahoge frequentie kunnen worden toegepast in communicatiesystemen, verdedigingselektronica en verkenningsapparaten in de ruimtevaart, zo meldt EE Times.

De chips die voor de tests gebruikt worden, gebruiken een prototype vierde generatie sige-technologie op 200-mm wafers van IBM. Bij kamertemperatuur werkten de circuits op 350 GHz.

Bron: Techworld