Wetenschappers van de Rijksuniversiteit Groningen en het Duitse Max Planck-instituut hebben een methode ontwikkeld om geheugencellen van plastic te fabriceren. Het materiaal is ferroëlektrisch: het kan geheugen laden en vasthouden, zelfs als een systeem niet meer van stroom wordt voorzien.

RAM zonder stroom bewaard

Er wordt al jaren gewerkt aan nieuwe snelle werkgeheugentechnologieën die informatie opslaan en vasthouden, in tegenstelling tot RAM dat informatie kwijtraakt als het zijn lading verliest. Non-volatile geheugen, waarbij gegevens ook zonder de elektrische lading bewaard blijven, als FRAM (ferroëlektrisch RAM) moet de toekomst hebben omdat er weer snel gestart kan worden met RAM dat klaarstaat als de computer weer wordt aangezet.

Wetenschappers hebben nu een methode ontwikkeld waarmee betaalbare FRAM-modules van de polymeer polyvinylideenfluoride (PVDF) mogelijk worden. Met dit materiaal was het in het verleden niet mogelijk om een schakeling te maken, maar door dunne films van het materiaal te produceren, werden nieuwe eigenschappen ontdekt. Hun bevindingen worden gepubliceerd in het wetenschappelijk tijdschrift Nature Materials.

Plastic nu ferroëlektrisch

Plastic geheugen bestaat al, maar is minder geschikt voor de productie van FRAM-modules. “[Een copolymeer van PVDF met trifluoroethyleen] is moeilijk te maken, erg duur, en bovendien verliest het boven de 80 graden Celsius zijn ferroëlektrische eigenschappen. En daardoor verlies je alle opgeslagen gegevens", zegt professor Dago de Leeuw van het Max Planck Instituut in de bekendmaking via de Rijksuniversiteit Groningen.

“Zowel de plastic ferroëlektrische transistor als de plastic ferroëlektrische diode is uitgevonden op het Zernike Institute for Advanced Materials van de Rijksuniversiteit Groningen. Daar komt nu dus een bruikbaar plastic geheugen bij", aldus De Leeuw.