IBM werkt bij de ontwikkeling van het nieuwe geheugen samen met Infineon Technologies, een Duitse fabrikant van halfgeleiders. MRAM (Magnetic Random Access Memory) is geheugen dat met behulp van magnetische velden informatie opslaat. De huidige geheugenmodules slaan informatie op elektronische wijze op. Volgens IBM zijn de prestaties van magnetisch geheugen beter dan van conventioneel geheugen en kan het heel goed toegepast worden in computers en mobiele telefoons. De chips kunnen meer gegevens opslaan, de toegang tot opgeslagen gegevens gaat sneller èn MRAM gebruikt minder energie dan ander geheugen. Dat maakt de modules interessant om toe te passen in notebooks. Een opvallende eigenschap van het nieuwe geheugen is dat het ook informatie kan bewaren wanneer de stroom uitgeschakeld is. Een computer die uitgerust is met MRAM kan jarenlang in de stand-by modus blijven staan zonder dat back-up batterij leegloopt. Volgens de twee bedrijven combineert MRAM alle voordelen die de verschillende RAM-geheugens tegenwoordig hebben. De snelheid van SRAM (Static RAM), de opslagcapaciteit en de lage kosten van DRAM (Dynamic RAM) en het vermogen om gegevens te bewaren zonder constante toevoer van elektriciteit zoals dat het geval is bij Flash-geheugen. IBM en Infineon denken dat MRAM voor commercieel gebruik vanaf 2004 beschikbaar zal zijn.