Het Japanse bedrijf Usantis Electronics en het Institute of Micro Electronics hebben aangekondigd een samenwerkingsverband aan te gaan om de eerste driedimensionale processors te gaan ontwikkelen. Een team van onderzoekers in Singapore ontwikkelt daarvoor een een zogenaamde surrounding gate transistor (SGT).

Huidige transistors hebben slechts aan de onderzijde een laag isolerend matieriaal. Een SGT is als het ware is ingepakt in isolerende materialen. Van deze transistors wordt vervolgens een driedimensionale processor gemaakt.

Snelheid

Volgens Masouka wordt de SGT een verticale pilaar van siliconen die omringd wordt door geheugencellen, elektrische contactpunten en andere componenten. Een dergelijk ontwerp verkleint de afstand die elektronen op de chip moeten afleggen. De driedimensionale processors die met de SGT gemaakt worden kunnen dan tot tien keer sneller zijn dan conventionele processors.

Nog dertig jaar

"De SGT maakt het ook mogelijk de grootte en de snelheid van op siliconen gebaseerde halfgeleiders te verbeteren. Het duurt nog zeker dertig jaar voordat de theoretische limiet is bereikt. Zulke vooruitgang bij processors zal nodig zijn om de IT ontwikkelingen en computernetwerken bij te benen ", aldus Masouka.

Het idee van driedimensionale transistors is niet nieuw voor Masouka. Het is dezelfde technologie die hij gebruikte om de capaciteit van flash geheugen te laten groeien.

De Amerikaanse start-up Tilera onthulde eerder dit jaar een processor waarbij geheugen bovenop het rekengedeelte van de chip is geplaatst. De processor is bedoeld voor bedrijfsservers, en zou 1,000 procent sneller zijn dan Intel's Xeon processor.

Intel ontwikkelt op dit moment als onderzoeksproject een processor met tachtig kernen. Ook daar wordt het geheugen bovenop de rekenkern geplaatst, waardoor de transactiesnelheid van gegevens veel hoger komt te liggen.