De vakgroep Chemie en Chemische Technieken van de University of Texas hebben een wafer van silicium geproduceerd (de schijven waaruit de componenten voor een microchip worden gehaald) van 0,08 micron dik. Op dit moment bakt Intel zijn snelste processor uit wafers met een dikte van 0,25 micron. En de chipgigant heeft uitzicht op wafers van 'slechts' 0,18 micron.

De dunte van de wafers is van groot belang voor de productie van steeds snellere halfgeleiders. Daardoor wordt mogelijk om steeds meer transistoren in één chip te persen, maar ook om de transistoren dichter bij elkaar te plaatsen, waardoor ze sneller informatie aan elkaar kunnen doorgeven.

Bij de productie van processors worden verbindingen tussen de transistoren gelegd door met licht patronen in het silicium te 'branden'. De doorbraak die de Texaanse onderzoekers hebben bereikt is de ontwikkeling van een nieuwe chemische stof waarmee deze dunnere verbindingen kunnen worden gemaakt. Daarvoor hoeven chipmakers niet over te schakelen op een volledig nieuw productieproces.

Uit kostenoogpunt scheelt dat een enorme smak geld. De aanleg van een productielijn voor 0,25 micron-processors vergt nu een investering van tussen de vier tot vijf miljard gulden. Een fabriek voor dunnere wafers – van 0,18 micron – zal naar verwachting twee tot drie miljard extra kosten. Volgens schatting geeft de Texaanse methode de chipfabrikanten genoeg rek om het met de huidige technologie tot het jaar 2009 uit te zingen.

Paul Otten van American Silicon Products scherpt in een e-mail onze kennis over de wafers aan: waar het bericht op doelt is niet de dikte van de wafer, die zal zo ongeveer 600-700 micrometer bedragen, maar over de spoorbreedte van de verbindingen die op de wafer gelegd worden. De dikte van de wafer maakt in snelheid van de chip niets uit, de

spoorbreedte wel.